Azo заменит ito в прозрачной электронике

Azo заменит ito в прозрачной электронике

Увеличение цен на индий заставляет ученых искать более дешёвые и приемлемые альтернативы материалу ITO, применяемому индустрией для изготовления прозрачных электродов.

В университете KAUST (ОАЭ) создали несложную разработку производства прозрачных транзисторов, базирующихся на оксиде цинка, легированном алюминием (AZO).

Входящие в состав AZO элементы более распространены, чем индий, что делало бы использование этого материала коммерчески оправданным, в случае если бы не одна неприятность. Электронные устройства, применяющие AZO, значительно уступают по рабочим качествам своим аналогам на базе ITO.

Чтобы преодолеть это препятствие, доктор наук KAUST, Хусам Альшариф (Husam Alshareef) применил точную разработку атомно-солевого осаждения (ALD), разрешающую изготавливать электронные схемы последовательным нанесением слоев толщиной в один атом.

«Применение ALD для выращивания всех активных слоев упрощает процесс производства схем и значительно улучшает продуктивность их работы», — пояснил он.

Меняя слои AZO со слоями другого прозрачного материала — оксида гафния, команде Альшарифа удалось взять стабильные тонкоплёночные транзисторы, каковые являются главным элементом многих электронных устройств. Их характеристики были лучшими среди всех известных до сих пор всецело прозрачных транзисторов с контактами AZO.

Еще один плюс предложенного способа это температура, требующаяся для создания ядерного слоя. Она образовывает приблизительно 160 °C, то имеется есть достаточной для того, чтобы прозрачные схемы возможно было создавать на эластичных пластиковых подложках, а кроме этого на стекле.

Mark Daws Do Karatbars Sell Real Gold Bars Mark Daws


Похожие статьи, подобранные для Вас: