Финские ученые подступают к созданию ионотронной памяти

Применение в зарядовых эффектах ионов, наровне с электронами либо вместо них, открывает новые возможности для резистивной памяти с электрической коммутацией.

Ионотронное манипулирование особенностями материала показали исследователи из финского Университета Аалто. С помощью модифицированного трансмиссионного электронного микроскопа они совершили одновременные измерения и визуализацию электрического сопротивления примера сложного оксида.

Было продемонстрировано, что миграция ионов O обратимо и однородно меняет кристаллическую структуру (и электрическое сопротивление) этого материала.

Стандартная трансмиссионная электронная техника не разрешает деятельно манипулировать материалом в микроскопа, исходя из этого авторы дополнили его особым держателем примера с пьезоэлектрическим нанозондом. Именно поэтому они смогли осуществлять контроль миграцию кислородных ионов маленькими импульсами напряжения.

Финские ученые подступают к созданию ионотронной памяти

Ту же ионотронную концепцию возможно применить для контроля вторых занимательных физических особенностей сложных оксидов — магнитных, ферроэлектрических, сверхпроводящих — все они зависят от степени окисления, которую изменяет индуцированная напряжением миграция кислородных ионов.

Вооруженные результатами этого изучения учёные разрабатывают новый держатель, что разрешит в ходе электронной микроскопии облучать пример интенсивным светом. С его помощью они собираются изучить на ядерном уровне процессы, протекающие в перовскитных солнечных батареях и в других оптоэлектронных материалах.

Финская утепленная лента. Теория. Как строят фундаменты в Финляндии?


Похожие статьи, подобранные для Вас: