Изобретение калифорнийского университета в области euv-литографии

Изобретение калифорнийского университета в области euv-литографии

Новый, более недорогой источник излучения для литографии с применением твёрдого ультрафиолета (extreme ultraviolet, EUV) был запатентован Калифорнийским университетом в Сан-Диего (University of California at San Diego, UCSD) в сотрудничестве с компанией Cymer, специализирующейся на выпуске лазеров для фотолитографических совокупностей.

Сущность предложения содержится в применении довольно недорогих лазеров на базе двуокиси углерода в 32-нм и более «узких» техпроцессах. Наряду с этим время импульса должно увеличиться от 20 наносекунд, что характерно для современных EUV-лазеров, до более чем 100 наносекунд.

На данный момент в качестве самые вероятных претендентов среди литографических разработок для производства по 22-нм и менее нормам рассматриваются EUV, двойные шаблоны, нанопечать, и электроннолучевая литография множественным пучком. Но, если судить по текущему состоянию дел, производители в основном надеются именно на EUV-литографию.

Компании ASML и Nikon независимо друг от друга собираются представить предварительные предположения EUV-инструментов к концу 2009 г. В этом оборудовании будут употребляться лазер-плазменные (Laser Produced Plasma, LPP) источники излучения производства компании Cymer. Источники информируют, что японская компания GigaPhoton кроме этого деятельно реализует программу по выпуску и разработке LPP-продукции.

Создатель – Александр Харьковский

Размещено в NanoWeek,

  • Прошлая статья: Квантовые точки обещают расширить эффективность преобразования солнечных элементов
  • Следующая статья: IBM собирается положить 1,5 млрд. долл. в разработку процессоров

Актуальные ТРЕНДЫ 2018 от А до Я | ЧТО ПРИОБРЕСТИ В ШКОЛУ, УНИВЕРСИТЕТ, КОЛЛЕДЖ |


Похожие статьи, подобранные для Вас: