В eth zurich сделан ещё один шаг к одноатомной магнитной памяти

В eth zurich сделан ещё один шаг к одноатомной магнитной памяти

Теоретическая возможность магнитной памяти, в которой один бит данных записывался бы на одном атоме либо молекуле, заставляет многих исследователей пробовать преодолеть технологические препятствия, стоящие на пути реализации данной идеи.

Относительно несложный метод фиксации таких магнитных молекул на поверхности носителя создала интернациональная командапод руководством химиками Швейцарской высшей технической школы (ETH Zurich).

Они синтезировали молекулу с единственным атомом редкоземельного элемента диспрозия, окружённым запасным структурой, облегчающей нанесение её на поверхность силикатных наночастиц. Отжиг при температуре 400 °C разрушает молекулу и даёт в конечном итоге наночастицы с равномерно распределенными по их поверхности атомами диспрозия.

Опыты в Лаборатории неорганической химии ETH Zurich продемонстрировали, что эти атомы возможно намагничивать и они сохраняют записанную магнитную данные.

К сожалению, процесс намагничивания требует охлаждения до –270 °C и состояние одноатомного магнитного бита сохраняется не более полутора мин.. Учёные работают над устранением этих недочётов, а кроме этого ищут метод переноса атомов на плоскую поверхность вместо наночастиц.

К преимуществам этого способа перед вторыми известными ответами относится его простота: перенос диспрозия на наночастицы просто сделать в любой химической лаборатории, для этого не необходимы чистое помещение и сложное оборудование. Полученные намагничиваемые наночастицы возможно хранить для повторного применения при комнатной температуре.

Polybahn Pitch: Dirk Helbing, Professor for Sociology at ETH Zurich


Похожие статьи, подобранные для Вас: